搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 二维”相关记录136条 . 查询时间(0.483 秒)
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/16
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院深圳先进院等开发出基于自移波性质的二维钙钛矿（图）
二维钙钛矿 激发光子 电子器件 三维集成
2023/9/19
2023年来，X/γ射线的探测在医学成像、剂量测量、辐射防护等领域应用广泛。铅卤钙钛矿作为新兴的闪烁材料而备受关注。然而，铅卤钙钛矿激子发光的斯托克斯位移较小，存在自吸收问题，大量激发光子无法被探测到，制约了该材料的探测性能和应用。
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展（图）
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
2024/5/6
二维半导体在后硅电子学、扭角物理、能谷电子学等领域具有广阔的应用前景。然而，原子级厚度这一特征也使得二维半导体的环境稳定性普遍较低，人们对其氧化动力学仍缺乏精准的定量理解。主要的研究挑战在于：1）缺乏高效率的表征技术； 2）影响材料老化的参数较多，系统研究的工作量巨大。迄今，大多数研究依赖于微区表征技术，如拉曼光谱、原子力显微镜或透射电子显微镜，通常而言这些技术的检测空间有限、表征效率低下、或者难...
中国科学院物理研究所在“非铁电性”单层二维材料中发现铁电性（图）
非铁电性 二维材料 晶体结构 光电子学
2023/6/28
铁电性是一种由电偶极矩自发排列导致的集体极化效应，并且其极化状态可被外部电场翻转。铁电场效应晶体管被认为是下一代非易失性存储器的理想候选者，具有无损读取和快速重复写入的优势，其非易失性功能通过铁电层的双稳态极化来实现。传统铁电材料多为三维钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3, PbTiO3和BiFeO3等，它们通常为带隙大且迁移率低的绝缘体，难以与现有的硅基半导体器件相兼容。近年来，二维范德瓦尔斯铁...
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
《先进材料》报道王琳教授、马惠芳副教授团队在二维氧化物最新研究成果（图）
先进材料 王琳 马惠芳 二维氧化物
2024/4/16
近日，柔性电子（未来技术）学院王琳教授、马惠芳副教授与湖南大学段曦东教授合作在二维氧化物方面取得了重要成果，相关成果“Controlled Synthesis of Submillimeter Nonlayered WO2 Nanoplates via a WSe2-Assisted Method”发表在国际著名期刊Advanced Materials（《先进材料》2022年影响因子：32.086...
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展（图）
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内...
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，其受到静电场屏蔽效应大大减弱，利用门电压可以对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，这使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在...
近年来，随着芯片制程逐渐逼近物理极限，面对硅材料的固有限制，芯片先进工艺尺寸微缩如何继续？芯片功能如何扩展？而得益于二维（2D）材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等，2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么，如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足？鉴于此，浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」（硅作...
中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展（图）
二维铁电Rashba 半导体材料
2022/11/14
2022年10月24日，中国科大杨金龙教授课题组胡伟团队在二维铁电Rashba材料领域取得进展，研究成果以题为“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashba Semiconductors”发表在Journal of the American Chemical Society上。
清华大学团队基于二维面内异质结首次同步实现热/电整流（图）
清华大学 二维面 内异质结 热/电整流
2023/2/28
芯片对于民用和国防多个领域至关重要，也是我国核心科技的“卡脖子”难题之一。根据摩尔定律，晶体管的沟道长度逐年缩短，与此同时半导体材料的厚度也会同比例微缩。但随着晶体管沟道尺寸的极限微缩，传统硅基晶体管的尺寸已达到物理极限，迫切需要寻找下一代新型半导体材料进一步提高芯片的集成度。单层过渡金属二硫化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）面内异质结由于具有原...
