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北京大学信息科学技术学院副教授王润声以其在半导体新器件和表征技术等方面的突出工作，荣获美国电气电子工程师学会（IEEE）2013年电子器件青年科学家奖（IEEE EDS Early Career Award），成为首位来自非美国机构的获奖者。
“碳基纳电子器件：基础与前沿”暑期学校暨碳基纳电子学前沿研讨会成功举办
碳基纳电子器件 暑期 电子学 研讨会
2013/8/23
碳基纳电子学（包括碳纳米管和石墨烯）被认为最有可能成为在未来补充甚至替代硅基器件、延续摩尔定律的新兴技术。为推动和提高我国在碳基纳电子器件方向的研究，并促进与国际同行的学术交流，北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室、信息科学技术学院物理电子学研究所于2013年7月17至26日举办了“碳基纳电子器件：基础与前沿”暑期学校。其间，特邀来自美国IBM、南加州大学、乔治•梅森大学、牛津大...
2013年7月30日，由北京大学信息科学技术学院“千人计划”教授徐洪起担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目中期总结会议在中关新园举行。
微/纳尺度高功率电子器件产热与传热特性
高功率场效应晶体管 多尺度格子-Boltzmann方法 电子声子耦合
2013/8/14
传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程, 此时器件中能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当, 甚至小于声子的特征时间尺度, 不能满足传统传热理论的假设. 本文针对微/纳尺度场效应晶体管的工作过程, 建立描述其内部产热及传热特性的多尺度格子-Boltzmann介观模型, 通过在模型中引入源项去描述器件内部电子和声子的相互作用, 分析计算...
中国科学院战略性先导科技专项B类“超导电子器件应用基础研究”（图）
超导 超导电子学 超导生态系统
2012/9/14
2012年9月9日，中国科学院战略性先导科技专项B类“超导电子器件应用基础研究”实施方案论证会在北京召开。中国科学院副院长阴和俊、秘书长邓麦村、副秘书长潘教峰出席会议。会上，项目负责人谢晓明研究员作了专项实施方案报告，专家就专项的应用验证、平台工艺、合作单位、国际委员会作用、平台的开放性、发展方向等问题进行了质询。专项领衔科学家江绵恒研究员就专家提问进行了补充回答，认为中国科学院通过先导专项建立从...
日前，由北京大学信息科学技术学院“千人计划”特聘教授徐洪起博士担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目启动会在中关新园举行。
高速柔性电子器件基础理论研究与应用探索研讨会在天津大学召开
高速柔性 电子器件 基础理论 天津大学
2011/10/12
9月29日，高速柔性电子器件基础理论研究与应用探索研讨会在天津大学信息学院举行，副校长舒歌群出席了大会。中科院上海技术物理研究所副所长戴宁、北京航空航天大学航空电子重点实验室主任张晓林，以及来自清华大学、北京大学、天津大学、中科院微电子所等多所高校和研究机构的专家学者参加了会议。研讨会由信息学院院长马建国主持。
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
电子器件 研制 突破
2011/10/28
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
NNI 发布2020 及未来纳米电子器件发展计划
纳米 电子器件 发展计划
2011/11/10
美国国家纳米技术计划（NNI）于2010 年7 月发布了《2020 及未来纳米电子器件发展》（Nanoelectronics for 2020 and Beyond）计划，合作机构包括国家自然科学基金会、国防部、标准技术研究院、美国能源部等，旨在通过跨机构的合作以开发和应用新兴纳米级制造工艺和创新性理念，以制造革新性材料、器件、系统和结构。
电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法
电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量
2009/12/9
基于高阶统计量理论，采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析．通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号，给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准．将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析，表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号，并可以用该方法进行有效区分．研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据．
微电子所“新型微电子器件及其集成封装的前瞻性研究”创新团队合作计划获得论证通过（图）
电子器件 集成封装 通过
2011/11/4
2009年10月26日上午，中国科学院人事教育局和高技术局在微电子所组织召开会议，就中科院微电子所和微系统所的“新型微电子器件及其集成封装的前瞻性研究”创新团队国际合作伙伴计划进行了可行性论证。论证专家一致通过该团队的可行性论证并建议及早启动。
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
脉冲宽度 辐射效应 剂量率
2009/9/29
采用了2种γ脉冲辐射源，在脉冲宽度分别约为20，50，150 ns，剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析，比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明：脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素，γ脉冲宽度越宽，辐照响应越强，分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
微电子研究所有机电子器件和阻变、纳米晶浮栅存储器研究取得进展
有机电子器件 阻变 纳米晶浮栅存储器
2009/7/14
在中科院、国家自然科学基金委、科技部的支持下，中科院微电子所微细加工与纳米技术研究室研究员刘明领导的有机分子电子器件小组长期以来致力于分子电子学中的基本问题的研究，近期在高性能有机场效应晶体管方面取得了最新的研究进展。相关研究成果发表在6月29日出版的英国皇家学会的知名期刊《材料化学》（Journal of Materials Chemistry. 2009, advanced article）上...