搜索结果: 1-15 共查到“光信息技术 薄膜”相关记录16条 . 查询时间(0.285 秒)
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题
华南理工大学 2017年 硕士学位 研究生 入学考试 薄膜晶体 液晶显示技术 TFT—LCD技术 试题
2017/11/21
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题。
基于ITO薄膜的透明LED显示屏的制作
SMD LED 透明显示屏 驱动电路
2014/3/18
设计了一种新型透明 LED显示器,分别以玻璃与聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET)为基底材料,研究制作了非柔性及柔性透明LED显示器模块。以ITO薄膜作为导电电极,采用激光刻蚀工艺,在基底材料上形成导电回路;选用贴片发光二极管(SMD LED)颗粒作为发光源,通过点胶固晶工艺安装SMD LED,制作的LED显示器件具有透明双面显示效果。
SiNx：H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响
SiNx：H界面态 Si/N 开关比 TFT特性
2014/3/19
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx:H和a-Si:H薄膜。通过电学、光学、力学测试研究了SiNx:H薄膜沉积条件对其界面性能的影响。研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性。当SiH4和NH3气体流量比值为7:15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×107。适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力。优化S...
为了满足深紫外光刻物镜对薄膜的要求,得到低损耗、高稳定性、长寿命的深紫外薄膜,需要选用适当的镀膜工艺方法。分别选取了离子束溅射法、热舟蒸发法和电子束蒸发法优化后的最佳工艺参量,在融石英基底上使用3种方法镀制了单层LaF3薄膜。首先,利用光度法得出3种方法镀制LaF3薄膜在185nm~800nm范围内的折射率n和消光系数k。然后,采用原子力显微镜对薄膜表面粗糙度进行了测量。最后,薄膜的微结构使用X射...
一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术
Cu SnS 薄膜太阳能电池 非真空印刷法 In2S3/Cu2SnS3 p-n结调制技术
2013/3/22
能带值为0.5~0.85 eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83 eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO glass)对其光伏特性进行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为12....
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对器件响应光谱的影响
HgCdTe液相外延薄膜 响应光谱 纵向组分分布 横向组分波动
2016/8/30
研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法，考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动，以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响应光谱的峰值响应率和截止波长ε液相外延HgCdTe的互扩散区厚度Δz和组分均方差σ的变化规律。结果表明：对于一般的HgCdTe外延薄膜，σ小于0.002，不需要考虑...
高性能顶栅结构有机薄膜晶体管
有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁
2012/8/7
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1...
Cr/Cu/Al/Cr薄膜电极的防氧化性能
Cr/Cu/Al/Cr薄膜 薄膜电极 表面形貌 防氧化性能
2014/3/24
采用Al作为Cu导电层的主要防氧化保护层,在普通浮法玻璃上利用磁控溅射和湿法刻蚀技术制备Cr/Cu/Al/Cr复合薄膜及其电极,研究不同的热处理温度对复合薄膜及其电极的结构、表面形貌和导电性能的影响。由于有Al层作为保护层,在热处理过程中,Al先与穿过Cr保护层的氧进行反应,从而可以更有效地保护Cu膜层在较高的温度下不被氧化,所制备的薄膜在经过600 ℃的热处理之后仍然具有较好的导电性能。而对于C...
多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型
多晶硅薄膜晶体管 栅漏电容 栅源电容 模型
2014/3/24
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性。
铝钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备与性能研究
TAZO薄膜 透明导电薄膜 溅射压强 磁控溅射
2014/3/24
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,所制备的TAZO 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。当溅射压强为7.5 Pa时,薄膜的最小电阻率为3.34×10-4 Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。
反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
氮化铝薄膜 场发射 工作气压 缺陷
2014/3/26
采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0 Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5 Pa和0.7 Pa)下制备的AlN薄膜具有一定的场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0 Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降。电子在薄...
不同氧气分压下的MOCVD法氧化锌薄膜生长
氧化锌 薄膜 MOCVD
2014/3/27
采用金属有机化学气相沉积方法,在不同氧气分压下,对硅衬底氧化锌薄膜材料生长做了研究。X-射线衍射方法对氧化锌薄膜的结晶质量做了比对测试。测试结果表明薄膜是沿着(002)方向生长。利用光荧光谱测试分析,对薄膜的发光特性做了研究,研究发现随着氧气分压增大,薄膜的紫外发光峰增强。通过原子力显微镜测试,对薄膜的表面形貌做了观察,发现结晶颗粒的平均粗糙度、均方根,以及平均直径随着氧气分压的增大呈现逐渐变小的...
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
2014/3/27
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8 V,迁移率为25.4 cm2·V-1·s-1,开关比为106。
基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管
金属诱导晶化 规则排列连续晶畴 薄膜晶体管 低温多晶硅
2014/3/28
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点，晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量，使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内，能形成连续晶畴的多晶硅薄膜，都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分...