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研究了基于双共焦传感器的薄膜厚度测量技术,搭建实际系统对自支撑Au、Mo膜进行测量。结果表明,该系统有效消除了薄膜翘曲、不完全展平的影响,测量精度达到干涉仪水平。
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5 keV/nm时, 不同辐照剂量(5×1010 —8×1013 ions/cm2)下, 在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。 分析表明, Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。 在辐照剂量达到一中间值1×1012 ions/cm2, C60分子的损伤得到部分恢复, 归因于电子激发引起的退火效应。 通过对R...
采用一种改进的液相成膜技术——连续离子层吸附与反应(SILAR)法, 用锌氨络离子\[Zn(NH3)4\]2+ 溶液作为独立的前驱体溶液, 以载玻片为衬底, 在(125±5) ℃的温度下沉积出致密、 透明的ZnO薄膜。 分别用冷场发射型扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜样品的表面形貌和结晶状态, 用紫外可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy)研究了薄膜样品的发光...
在室温、超高真空条件下,采用Ar离子溅射沉积的方法在清洁金属铀表面沉积铝薄膜,并利用X射线光电子能谱分析技术原位观察铝薄膜的生长行为。结果表明,在薄膜生长过程中,铀铝界面存在较明显的互扩散行为,同时发生一定程度的相互作用,生成金属间化合物UAlx,导致铀、铝XPS特征谱发生明显变化。铀铝间的互扩散导致U4f谱在380.4、392.7和404.2eV处出现新的能量损失峰;而铀铝金属间化合物的生成导致...
提出了在强γ环境中脉冲中子通量的薄膜闪烁体测量方法.根据其与中子、γ响应的理论计算结果,研制成功一种对γ不灵敏,用于探测快脉冲中子通量的新型探测器.该探测器由塑料薄膜闪烁体+光电探测器构成.与传统探测器相比,该探测器具有如下特点1.高中子灵敏度;2.高n/γ分辨;3.在给定能区具有平坦的能量响应.
采用电子束蒸发镀膜技术,在Si(100)面基底上沉积金属钯薄膜,并采用台阶仪和透射电子显微镜(TEM)对薄膜的厚度和结构进行表征。选取不同能量、不同剂量的氦离子束对钯薄膜进行注入实验,注入后,用X射线衍射分析(XRD)分析薄膜的微观行为。实验结果显示,在固定注入能量时,随着注入剂量的增加,钯薄膜的晶格发生膨胀,膨胀与注入造成的离位钯原子以及氦空位复合物在晶格中的存在有关。原子力显微镜(AFM)和...
明,溅射沉积的无定形薄膜经离子辐照后发生了晶化,膜内元素与基体元素发生了显著的混合,表面污染的碳向膜内迁移。此外,还研究磁控溅射沉积ZrO_2-8%(m/m)Y_2O_3薄膜氩离子辐照前后表面Zr(3d),Y(3d),O(1s)结合能的位移情况。
以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。
介绍在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上,对α-Si1-xCx:H薄膜样品进行弹性反冲探测分析的方法和结果.用该加速器提供的高品质^127Ⅰ束流轰击α-Si1-xCx:H薄膜材料样品,用△E(gas)一E(PSD)望远镜探测器,在前角区(30。角)测量从该样品中反冲的各元素的能谱.然后用离子束分析(IBA)程序SIMNRA对能谱进行拟合,得到样品中H,C和Si的比分及深度分布. Elas...
对类金刚石 (以下简称 DLC)薄膜受 γ射线与 N离子辐照的结果进行了比较 .通过 Raman光谱分析得出 :γ射线辐照造成薄膜中 SP3C— H和 SP2C— H键的减少及 SP3C— C键的增加 ,与此同时氢原子结合成氢分子 ,并从膜中释出 ,薄膜的类金刚石特征更加明显.当辐照剂量达1 0×104Gy时 ,SP3C—H键减少了约 5 0 % .N离子辐照使 DLC薄膜中 SP3C— C键、S...
用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应.分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的.在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和171.2 Me V的 S离子 )辐照的情况下,电子能损起主导作用.发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向...
采用N++Cr+多元离子束增强沉积合成(TiCr)N膜层,对膜层进行了AES、TEM和XRD分析.测试了膜基体系的力学性能和电化学性能.与普通物理气相沉积相比,多元离子束增强沉积显示了开发新型薄膜材料的较强潜力.Multicomponent ion beam enhanced deposition was used to synthesize (TiCr)N films. The films we...

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