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薄膜异质结光电功能材料的制备科学、功能机理和正电子过程研究。
近日,我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展,相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparat...
当上层超弹性硬质薄膜和下层可膨胀基底构成的双层结构受压时,薄膜的自由表面可通过形成褶皱降低系统能量.研究表明,上下两层的模量比不同时,上层弹性硬质薄膜将表现出不同的表面失稳模式.本文提出了一种新颖的方法可有效抑制双层软材料的表面失稳,即改变基底材料的泊松比,这种方法同时适用于不具有应变硬化的软材料.首先基于Neo-Hookean模型发展了小变形条件下双层结构表面失稳的理论模型,通过半解析的方法得到...
我校现代工程与应用科学学院、固体微结构物理国家重点实验室、微结构科学与技术协同创新中心的聂越峰教授与美国康奈尔大学以及以及意大利CNR-SPIN合作,在复杂氧化物准二维电子液体研究方面取得重要进展,其研究成果 《Formation and Observation of a Quasi-Two-Dimensional dxy Electron Liquid in Epitaxially Stabil...
2012年,清华大学物理系薛其坤研究组和中国科学院物理研究所表面实验室马旭村研究组合作,开创性地在钛酸锶(SrTiO3)衬底上制备出FeSe薄膜,并报道了在单层FeSe/SrTiO3薄膜中可能存在临界温度接近甚至超过液氮温区(77K)的超导电性【Chin. Phys. Lett. 29 (2012) 037402】。紧接着,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)超导国家重点实验室周兴...
2014年8月26日至28日,第十三届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会圆满召开。本次研讨会由中国电子学会超导电子学分会主办,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中科院上海超导中心和信息功能材料国家重点实验室承办。来自全国近30个科研机构的186名代表参加了本次学术研讨会。20家相关领域的企业以赞助商或产展商形式参与了本次研讨会。
2012年,清华大学物理系薛其坤研究组和中科院物理研究所表面物理国家重点实验室马旭村研究组在钛酸锶(SrTiO3)衬底上成功制备出单层FeSe薄膜,并在扫描隧道谱上观察到大的能隙,预示着该材料有可能存在接近液氮温区(77K)的高温超导电性【Chin. Phys. Lett. 29 (2012) 037402】。这项工作引起了人们的极大兴趣。首先,单层FeSe薄膜具有铁基超导体中最简单的晶体结构,被...
报道了在镍酸镧 (LaNiO3, 简称LNO)衬底上锆钛酸铅 [Pb(ZrxTi1-x)O3, 简称PZT]铁电薄膜及其成分梯度薄膜的结构、介电性能、铁电性能以及热释电性能. 首先通过金属有机化合物热分解(MOD)法在Si(100)基片上制备出LaNiO3, 薄膜, 再通过溶胶-凝胶(sol-gel)法, 在LNO/Si(100)衬底上制备出Pb(Zr0.80Ti0.20)O3, [PZT(80...
利用90°离轴射频磁控溅射方法将La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生...
用慢正电子束流装置研究了氟化锂团簇沉积在单晶硅衬底上构成的纳米相薄膜,获得了正电子湮没S参数和有效扩散长度Leff. 讨论了制备条件(如衬底温度、蒸发速率、惰性气体分压等)对薄膜微观结构的影响.
利用射频磁控溅射方法制备了低介电常数材料多孔非晶SiOx薄膜,溅射压强从1Pa—3Pa变化,傅立叶变换红外吸收光谱测行x的范围为1≤x≤1.6.同步辐射X射线反射(XRR)测量结果显示了随着溅射压强的增大,薄膜的孔隙率(体积比)从6%上升到24%,同时估计了薄膜的厚度.慢正电子湮没多普勒展宽测量探测了薄膜中的缺陷分布信息,结果显示随着溅射压强的增加,薄膜中的E'中心缺陷增加,其抑制了电子偶素的生成...

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