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专利名称:基于Talbot效应的相位恢复装置及其工作方法。专利类别:发明。申请日期:2017.08.23。专利号:ZL201710730789.X。第一发明人:李常伟。其它发明人:张思炯;陈升。
基于Talbot效应的电光调制位相阵列器
位相阵列器 Talbot效应 铌酸锂 电光效应
2016/8/26
利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符.计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响.
在球面波照射下光栅分数Talbot 效应特性
球面波 光栅 Talbot效应 分数Talbot效应
2012/4/11
采用比较分析法分析球面波情况， 利用光栅衍射的 Ｇ ｕ ｉ ｇ ａ ｙ 理论分析了在平面波照射下光栅的分数 Ｔ ａ ｌ ｂ ｏ ｔ效应的特性。根据球面波的特点和菲涅耳衍射的规律， 建立了球面波照射下光栅衍射与在平面波照射下光栅衍射之间的联系， 进而给出了在球面波照射下光栅分数 Ｔ ａ ｌ ｂ ｏ ｔ 效应的相关方程， 分析了振幅光栅分数 Ｔ ａ ｌ ｂ ｏ ｔ 自成像的特性。由于分数 Ｔ ａ ｌ ...