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目的:对比考察不同钛酸钡含量的BaTO3/P(VDF-TrFE)压电纳米复合膜对大鼠骨髓间充质干细胞粘附、铺展和增殖活性的影响,为优化电活性引导组织再生膜材料的生物学性能提供基础。方法:采用溶液浇铸法制备出含有不同钛酸钡纳米颗粒含量(0vol%、1vol%、3vol%、5vol%)的BaTO3/P(VDF-TrFE)压电纳米复合膜,通过扫描电镜、原子力显微镜和X-射线衍射仪对材料表面形貌和化学成分...
SOME ALGORITHMS FOR VIRTUAL DEFORESTATION (VDF) OF LIDAR TOPOGRAPHIC SURVEY DATA
lidar laser scanner filtering vegetation canopy algorithm topography ground surface virtual deforestation
2015/3/10
Lidar topographic surveys of forested terrain generate XYZ positions for laser returns from numerous points, some on the ground and some from vegetation. Extracting a ground surface model from such da...
采用激光扫描共焦显微镜、X射线衍射、循环伏安和交流阻抗等方法对由聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)(P(VDF-HFP))、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)以及纳米碳酸钙(二氧化硅)制备的几种复合聚合物电解质(CPE)膜P(VDF-HFP)-PMMA/CaCO3(SiO2)的性能进行了研究. 结果表明, PMMA的加入能提高CPE的吸液率, 从而增大其离子导电率. 在P(VDF-HFP)与PMMA质量比为...
电子辐照及再结晶P(VDF-TrFE)共聚薄膜红外光谱研究
P(VDF-TrFE) 红外光谱 电子辐照 再结晶
2009/11/27
利用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究聚偏氟乙烯与聚三氟乙烯共聚薄膜[P(VDF0.80-TrFE0.20)]的电子辐照和再结晶处理过程中分子链构型变化和化学变化, 为深入探讨辐照的改性机理提供依据. 研究发现, 辐照后薄膜分子链全反构型百分含量随吸收剂量增大而迅速减少, TG构型和T3G构型百分含量显著增多. 而当吸收达一定剂量时, 三种构型相对含量基本不再变化, 表明高剂量辐照时样品极性回升...
VDF-CTFE共聚物在TATB表面吸附链构象的分子动力学模拟
偏氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物 吸附 分子动力学模拟
2009/11/13
采用COMPASS力场和NVT正则系综的动力学计算模拟了偏氟乙烯(PVDF)与三氟氯乙烯(PCTFE)及其共聚物在1,3,5-三氨基-2,4,6-三硝基苯(TATB)表面吸附能和吸附链的构象. 结果表明, 氟聚合物链与TATB表面距离小于0.8 nm时, 产生吸附放热效应. 在TATB表面, PVDF有强吸附作用, 而PCTFE的吸附能力差. 对VDF与CTFE单体摩尔比为1∶1, 1∶2, 1∶...
有机铁电P(VDF-TrFE)膜的铁电开关特性
有机铁电 P(VDF-TrFE)膜 铁电开关特性
2009/2/5
借助原子力显微镜优异的空间分辨能力和微观压电铁电测定技术,研究了有机铁电P(VDF-TrFE)膜的微观铁电开关特性.结果表明,当激励电压的峰值高于材料矫顽电压时,观测到双峰振动现象,双峰振动的出现源自于铁电开关过程;当激励电压幅值略高于材料矫顽电压时,探测到振动双峰的发展过程和局域蝴蝶洄线的不对称生长,蝴蝶洄线左翼的生长速度明显滞后于右翼.当极化时间足够长时,两翼的生长达到饱和,呈现出对称结构.电...
摘要 以高压静电纺丝法制备了具有微孔结构的偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物[P(VDF-HFP)]无纺布膜, 吸附离子液体3-乙基-1-甲基咪唑鎓四氟硼酸盐(EMIBF4)后成为凝胶聚合物电解质, 其室温离子电导率达到8.43 mS•cm－1, 初始热失重温度超过300 ℃. 以其为聚合物电解质的活性碳电极双电层电容器具有较好的电化学性能, 1.0 mA•cm－2恒流充放电500次...
P(VDF-TrEE)铁电薄膜微观铁电压电特性研究
P(VDF-TrFE) 压电 铁电 原子力显微镜
2007/12/18
摘要 借助原子力显微镜优异的空间分辨能力和微观压电铁电测定技术，研究了不同结晶P(VDF-TrFE)铁电膜的微观铁电压电特性。研究表明，非晶态微观蝴蝶洄线的铁电开关过程平缓，矫顽场分布较广且场值较高；与之相比高结晶度薄膜微观蝴蝶洄线呈现陡峭而迅速的铁电开关现象，矫顽场单值且较低。微观压电性的实验表明非晶态压电系数约为-0.15/V，低于晶态的压电系数-0.30/V。
