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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数
2011/5/17
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有...
