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InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级
发光管 InGaAsP/InP 双异质结发光管 深能级
2010/4/12
本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。