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第十一届全国MOCVD学术会议在苏州召开(图)
第十一届 MOCVD 学术会议
2010/1/25
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜,在550 ~ 950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰,位于2.8eV的蓝光峰(BL)以及3.27eV附近的紫外峰(UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度(BL/UVL)在550℃退火后...
MOCVD-Grown InGa/GaAs Emitter Delta Doping Heterojunction Bipolar Transistors
Delta doping Heterojunction bipolar transistor
2010/12/7
The influence of delta doping sheet at base-emitter (BE) junction for an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) with a 75Å undoped spacer layer is investigated. A common emitter curr...