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1-1
共查到
“
电子技术 SiO_2-Si
”
相关记录1条 . 查询时间(0.067 秒)
SiO_2-Si
界面射频等离子体退火性质研究
SiO_2-Si
界面射频
等离子体退火
2008/10/21
众所周知,
SiO_2-Si
结构中界面态和固定界面电荷以及
SiO_2
中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对
SiO_2-Si
界面退火(简称RFP退火).
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