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利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜，研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响；探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析，得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃，碳化时间为5 min，生长温度为1 200 ℃，生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究
3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
2009/5/25
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函，电子波函数采用平面波基矢展开，并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用，对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究．对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算，结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底，随着掺杂浓度的增加，导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动，导带底移动速度要大于价带顶，...
