搜索结果: 1-15 共查到“激光及激光器技术 芯片”相关记录26条 . 查询时间(0.089 秒)
EPFL科研团队研制出芯片集成掺铒波导激光器
EPFL 芯片 铒激光器 光纤
2024/10/15
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产(图)
氮化镓 半导体 激光器 芯片
2023/11/12
深圳阜时科技有限公司获战略投资,专注激光雷达SPAD芯片研发
阜时科技 战略投资 激光雷达 SPAD芯片
2023/11/12
国内首款660纳米VCSEL激光芯片研发成功!(图)
VCSEL 激光芯片
2023/11/12
国内首个用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功
激光退火仪 量子芯片 MLLAS-100
2023/3/24
据合肥日报报道,国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪(以下简称“激光退火仪”)已研制成功,可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素,像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”,增强量子芯片在向多比特扩展时的性能,从而进一步提升量子芯片的良品率。
当前,光纤网络遍布全球,光已成为现代信息传输的基本载体,承载了全球90%以上的数据流量。在光通信系统中,半导体激光器既可以工作在直流输出状态下,作为信号调制的光载波;也可以工作在直接调制状态下,兼具载波产生和信号调制的功能,因此成为多种应用场景中的理想光源,能够满足性能、成本、体积、功耗、传输距离等不同维度的需求。2022年来,在5G、光纤入户、数据中心等应用的驱动下,半导体激光器产业又进入一轮新...
中国科学院半导体研究所光电子芯片集成技术研究组的研究方向有:硅基激光器、硅基高速电光调制器、硅基波分复用器件、硅基模分复用器件、高速大规模硅基光交换阵列、 偏振控制器件、硅基滤波器件、硅基集成光电探测器、硅基波导光学耦合技术和工艺设备研发等。
GPON用1310nm InGaAsP/InP BH宽温度范围激光器芯片
激光器 GPON 激光器芯片
2008/11/17
该项目使用InGaAsP/InP低特征温度材料代替AlGaInAs/InP高特征温度材料,采用特殊的多量子阱设计,达到了-40℃~+95℃宽温度范围内的技术性能指标。对PBH结构进行了优化设计,提高了器件的性能和可靠性。使用特殊的MOCVD二次外延技术实现了器件性能的优化。GPON用1310nm InGaAsP/InP BH激光器芯片是GPON突发式光模块和GPON光传输网络必须的核心部件,具有...
155M~1.25Gbps CMOS激光驱动器(芯片)
激光驱动器 CMOS工艺 光纤通信激光器
2008/11/3
UX2210由激光偏置电路、调制电路、自动功率控制(APC)、调制电流温度补偿等部分组成,可兼容3.3V/5V电源电压。该芯片提供了一个CMOS电平的激光失效指示,以及一个用于保护激光器的可编程慢启动电路。慢启动电路内部预设50ns启动时间,可以通过外接电容来延长这个时间。通过外部电阻的调节,UX2210的调制电流可达60mA,偏置电流可达80mA,上升下降时间小于250ps。其采用小型化封装——...
项目研究的背景及用途:BGA芯片管脚三维坐标激光扫描测量系统是国家自然科学基金资助项目。球栅阵列BGA(BallGridArray)芯片是一种典型的采用SMT的集成电路芯片,其管脚均匀地分布在芯片的底面,这样在芯片体积不变的情况下可大幅度增加管脚数量。在安装时要求管脚具有很高的位置精度,如果管脚三维尺寸误差较大,特别在高度方向,造成管脚顶点不共面,安装时个别管脚和线路板接触不良,会导致漏接、虚接。...