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搜索结果: 1-5 共查到光电子技术 Lateral相关记录5条 . 查询时间(0.265 秒)
A novel lateral force sensor based on a core-offset tilted fi ber Bragg grating (TFBG) is propo sed and experimentall y demonstrated. The lateral force is determined by the differential refl ected pow...
A novel design-flexible 3D-hollow-waveguide with lateral- and vertical-periodicity has been demonstrated. A high-index-contrast-grating-(HCG), introduced as a lateral-periodicity, provides vertical as...
A Si APD was fabricated by standard 0.18 μ m CMOS process. The maximum avalanche gain was 224 for only 8 V bias. The bandwidth was 1.6 GHz for low avalanche gain and 800 MHz for large avalanche gain.
期刊信息 篇名 High Gain Lateral Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 施卫,张显斌,李琦,陈二柱,赵卫 第一作者单位 西安理工大学 刊物名称 Chinese Physics Letters.19 (3) .(SCI收录) 页面 3...

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