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近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
中国科学院物理研究所专利：GaAs基光电器件和GaAs基光电器件阵列及其制备方法
温度及功率变化研究电子辐射GaAs电池的热淬灭效应
光致发光 GaAs中间电池 热淬灭效应 非辐射复合中心
2021/1/11
为进一步探究电子辐射GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池GaAs中间电池的热淬灭效应，对该子电池进行了温度及功率变化光致发光谱测量，分析了发光峰强度及其峰位的变化。利用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合，得到辐射引入GaAs中间电池非辐射复合中心的热激活能（0.96 eV）。通过分析10~300 K温度范围内发光强度的热淬灭效应，发现发光强度与激发功率的关系从线性关系逐渐转变为...
150 keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响
GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命
2020/1/17
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失，导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能，其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象，制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池，以150 keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明，150 keV质子辐照后电池的量子效率衰减，且基区衰减...
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终...
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛定谔方程得到峰值波长误差为15.6%,4.6%。结果表明:引起量子阱中子带间距离逐渐扩大与峰值响应波长蓝移的根本原因是势垒高度的增加。高分辨透射扫描电...
超快泵探针对GaAs中X射线诱导的瞬态光学反射率变化的探测
低温生长砷化镓 X射线探测器 折射率扰动 皮秒时间分辨
2016/8/16
理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于1×10-12 s,载流子的复合时间小于 2×10-12 s,折射率的扰动时间约为2×10-12 s。通过理论分析,给出了自由载流子和俄歇效应对该弛豫过程的定量估算,与实验结果吻合较好。该研究表明低温生长砷化镓是一种有效的可用于单次...
An Electronically Reconfigurable Three Band Low-Noise Amplifier in 0.5 μm GaAs pHEMT Technology
RFIC MMIC LNA Reconfigurable IC
2014/12/8
State-of-the-art RF front-end circuits are typically designed to operate at a single frequency. With an increasing number of available wireless standards, personal mobile communication devices require...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 μm×300 μm台面,内电极压焊点面积为20 μm×20 μm,外电极压焊点面积为80 μm×80 μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 μm,8.32 μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰...
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator, Demonstrated at 150 Gbit/s with 64-QAM
First Monolithic GaAs IQ Electro-optic Modulator 150 Gbit/s with 64-QAM
2014/11/6
We report on the first experimental demonstration of a GaAs IQ-modulator. Data rates of up to 150 Gbit/s are generated using QPSK, 16-QAM, 32-QAM and 64-QAM on a single carrier and polarization.
GaAs光阴极激活稳定性研究
GaAs光阴极 激活 稳定性 表面势垒
2016/8/19
为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性，延长像管的使用寿命，从Cs-O激活方面着手进行研究，寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量，并在线监测真空环境下光电流的变化情况，寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种比例的激活实验，在光电流下降至Cs峰峰值90%、70%、50%、30%和10%时给O进行交替激活。激活结束后，在低于1×10-8Pa的真空环境下在线监控30...
高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响
GaAs光阴极 表面 高温退火 XPS
2016/8/19
利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化，结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线，比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面，更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化，Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子，形成主要由键合...
极化方向周期排列的GaAs通过准相位匹配方式能够实现高功率CO2激光器倍频，利用晶片键合技术对GaAs极化方向反转堆叠的制备工艺和键合性能进行研究，采用氢离子轰击的方法去除GaAs表面氧化物，提高光学性能，超高真空中预键合减少界面微气孔密度，退火处理增加键合力，实现了双层GaAs的可靠键合，两层 GaAs成为一块单晶结构的整体，利用键合技术获得了大通光孔径、低光学损耗的周期性结构GaAs晶体，为实...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱材料，制备300 μm×300 μm 台面，内电极压焊点面积为20 μm×20 μm，外电极压焊点面积为80 μm×80 μm 的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77 ~300 K 暗电流特性测试。结果显示，器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横...
中国科学院半导体研究所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
低温LT-GaAs材料 成功应用 制备太赫兹天线
2012/12/21
太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0.03～3毫米范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以比X射线技术更具优势。此外，许多生物大分子的振动和转动共振频率也处在太赫兹波段。因此，开发太赫兹波技术将对宽带通信、雷达...