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中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
中国科学院微电子研究所 专利 高稳定性 非晶态 金属氧化物 TFT器件
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
CPECC签约TFT气田改扩建项目
工程建设有限公司 中国石油 阿尔及利亚 扩建项目
2023/6/25
2023年6月16日，工程建设有限公司（CPECC）EPCC总承包的阿尔及利亚TFT气田中心处理厂地面设施改扩建及南部24口气井集输管网项目团队开始前期考察，与项目所在地政府机构接洽，落实包括当地资源、营地环境等事项。
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题
华南理工大学 2017年 硕士学位 研究生 入学考试 薄膜晶体 液晶显示技术 TFT—LCD技术 试题
2017/11/21
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题。
日本利用全印刷技术制成有机TFT阵列
SID 2014 日本 全印刷技术 有机TFT阵列
2014/7/1
日本新一代印刷电子技术研究联盟（JAPERA）在2014年6月举行的国际学会“SID 2014”上发表演讲，宣布利用已实现工艺自动化的印刷技术、在A4尺寸树脂片材上形成了有机TFT阵列。该技术可使量产时的初期成本大幅降低，易于少量多品种生产。
TFT-LCD三基色光谱的温度特性
液晶 薄膜晶体管液晶显示器 三基色 透射率 温度特性
2014/3/23
利用自行搭建的显微光谱测试平台研究了可见光波长范围内温度对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)透射光谱的影响。测试结果表明:红基色光、绿基色光和蓝基色光的透射率随温度的升高呈现出先升高后下降的趋势,但峰值所对应的温度不同。透射率改变的主要原因是温度的变化引起了液晶折射率的改变以及液晶分子指向矢的扰动,这一扰动导致了光散射的改变,使三基色的透射率发生了变化。
为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验。首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁。其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系。同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释。最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试。所有的实验结果均表明,Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持,...
TFT-LCD驱动中SDRAM控制器的仲裁器设计
TFT-LCD驱动 SDRAM控制器 仲裁器
2014/3/18
针对TFT-LCD驱动中常用SDRAM控制器的不足，在FPGA器件上设计了SDRAM控制器的仲裁器；仲裁器根据TFT-LCD驱动的特点分配SDRAM控制器使用权，实现了在TFT-LCD正常显示的同时外部设备可在任意时刻连续地向SDRAM写入数据，而不出现数据丢失或者错误的现象。文章从FIFO深度、SDRAM突发长度和不同模块时钟频率等方面考虑，介绍了仲裁器的设计方法，给出了仲裁器各项参数值的设计公...
关于TFT-LCD中一种偏光片相关不良的研究
液晶显示器 偏光片 湿度 Mura
2014/3/18
偏光片作为液晶显示器的重要组成部分之一，其特性会直接影响到显示器的画面显示效果。文章首先对偏光片的基本组成进行了介绍，依据水分与偏光片透过率的关系，对偏光片相关的一种不良形成机理进行了分析，表明该不良的形成与湿度及偏光片的材质存在较大的相关性，通过使用不同材质偏光片的模组进行温湿度变化实验，验证了该不良的发生机理，同时针对该不良提出了改善方法，即在液晶显示器显示区域内避免偏光片局部与其他部品发生接...
针对传统的Chan-Vese模型（C-V模型）分割背景不均匀的TFT-LCD Mura缺陷速度慢的问题，将水平集函数与符号距离函数的偏差作为能量项引入C-V模型，去掉了符号距离函数重初始化步骤；为了平衡图像的整体亮度不均匀，在传统的C-V模型中引入轮廓曲线内、外部区域之间的亮度差项，提高了分割准确性。在数值实现上，采用无条件稳定的半隐差分格式，适当加大步长，加速曲线演化过程，相比于有限差分格式和A...
TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究
无退火工艺 透过率 氧化铟锡层 TFT特性
2014/3/18
对TFT-LCD器件氧化铟锡（ITO）层无退火新工艺进行了深入研究，通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺（PI）膜固化过程同步进行，简化了工艺过程，节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同，可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀，氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好，无鼓包、麻点等，也没有反应产物生成；经过TFT特性测试发现，无退火工...
大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合
低耗 钼刻蚀 阴极耦合离子 试验设计
2014/3/18
为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗，在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上，采用正交实验设计，验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系，从而得到各膜层的最佳工艺条件。在Enhance Cathode Couple Plasma Mode（ECCP）刻蚀模式下，采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光...
TFT-LCD网点Mura的研究和改善
色斑 薄膜晶体管 非晶硅 缺陷分析
2014/3/18
为解决116.8 cm（46 in）广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中，发生的一种网点色斑缺陷，应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析，比较了TFT膜厚；进行了GI和PVX膜玻璃正反面1%HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+ 刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验。研究了沟道n+掺杂a-Si层的...
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化，设定4个实验条件，考察了不同条件下膜层的均匀性，TFT产品的开路电流（Ion）的整体分布规律以及均匀性，Ion的提升比例以及产品的阈值电压，确定条件二为最优条件。对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线，进一步分析了产品的电学稳定性。研究发现Ion提升了42%，开关比（Ion/Ioff）提升了约70%...
有源层刻蚀工艺优化对TFT-LCD品质的影响
有源层 刻蚀 黑点
2014/3/18
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的 过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而...