搜索结果: 1-8 共查到“工学 NAND Flash”相关记录8条 . 查询时间(0.072 秒)
Enhanced Search And Efficient Storage Using Data Compression In Nand Flash Memories
Nand Flash Search data deduplication MISR
2014/12/8
NAND flash memories are popular due to their density and lower cost. However, due to serial access, NAND flash memories have low read and write speeds. As the flash sizes increase to 64GB and beyond, ...
NAND Flash高速图像记录压力测试系统
图像记录 NAND Flash 压力测试系统 稳定性 爬山搜索
2016/9/1
为了测定NAND Flash 图像记录系统的稳定性以及峰值记录速度指标，减少人工测试量，设计了压力测试系统。针对稳定性测试问题，设计了基于指数回归的速度压力模型和基于对数正态分布的测试时长控制模型；针对峰值记录速度测定问题，提出了基于爬山搜索算法和速率二分法的软硬件协同测试方法。基于有效数据占空比机制设计速率软件可调的硬件数据产生器，用爬山算法粗略确定峰值记录速度区间，再用速率二分法逼近峰值记录速...
针对空间相机中的图像存储器NAND Flash由于坏块和单粒子翻转导致存储数据不可靠的问题,研究了Flash坏块的管理策略和纠错算法。分析了Flash结构和工作特点,提出了基于并行双遍历机制的坏块管理策略,阐述了双遍历机制的设计思想并分析了它的有效性。在分析Flash结构和纠错特点的基础上,提出了在域GF(28)上的缩短码RS(246,240)+RS(134,128)纠错算法,并说明了编解码算法思...
基于FPGA的NAND Flash坏块处理方法
闪存 现场可编程门阵列 坏块
2010/3/22
针对NAND Flash在存储数据时对可靠性的要求，分析传统坏块管理方式的弊端，提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的坏块处理方案，采用在FPGA内部建立屏蔽坏块函数的方法屏蔽坏块。该方法彻底屏蔽对坏块的操作，可以实现对Flash的可靠存储。实际工程应用证明其具有较高的可靠性。
提高Nand Flash性能的方法
Nand闪存 多片编程 擦除和写性能
2009/7/10
在嵌入式系统中，Nand Flash因具有写入速度快、密度大的特点，因此特别适合用作大容量数据存储。但是在系统处理一些大量的视频数据和其他高分辨率数据存储的时候，Nand Flash的擦除和写性能难以满足要求。分析并实现了一种利用多片编程来提高Nand Flash擦、写性能的方案。实验中采用4片编程技术，结果表明，该方案可以将Nand Flash的写速率提高75.60%，擦除速率提高74.95%。
高密度NAND Flash存取性能及其宿主控制器接口
读模式 状态查询 Flash控制器
2009/4/30
介绍了高密度K9K8G08U0M NAND flash芯片的内部组成、引脚配置、各种读操作、页面编程、块擦除、写保护等操作时序和状态查询。提供了NAND flash存储器与其宿主控制器的标准接口逻辑。
Windows CE.net嵌入式操作系统可以使用多种方法实现固化存储启动。该文通过介绍一种基于NAND Flash的Eboot，在Intel公司的PXA270嵌入式处理器上实现了Windows CE.net的固化存储和启动，介绍了Windows CE.net 5.0以NAND Flash为固化存储设备的一类启动方法。该方法启动速度快、成本低，并具有一定的通用性。