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搜索结果: 1-15 共查到工学 In2O3相关记录18条 . 查询时间(0.078 秒)
本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料,经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线,并以此作为气敏性材料,组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号(电阻、电压、电流等)的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(V...
CO2 hydrogenation with renewable energy is one of the promising approaches to mitigate CO2 emissions and produce sustainable chemicals and fuels. The effect of adding H2O in the feed gas on the activi...
常用化石燃料的燃烧过程通常伴随着大量CO2的产生,在《巴黎协定》倡导下,全球都在积极探索更为低碳高效的燃料,CO2加氢制燃料已成为研究热点。然而CO2加氢反应过程中往往伴随着逆水煤气变换(RWGS)反应,会影响产物分布。近日,宁夏大学、宁夏计量质量检验研究院携手韩国延世大学共同报道了一种InCu/mAl(注:mAl表示既定铝含量)催化剂,在催化CO2加氢反应中明显提高了含氧化合物的选择性。相关成果...
通过控制乙醇钽的水解速率, 在丙酮水溶液中制备了可分散的 Ta2O5 微球, 并以此为载体构建了 In2O3/Ta2O5 异质结复合光催化剂, 利用扫描电子显微镜、X 射线能量色散光谱、粉末 X 射线衍射光谱、透射电子显微镜和紫外-可见漫反射光谱等手段对样品形貌、结构和光吸收性质进行了表征. 结果表明, In2O3 纳米粒子分布在 Ta2O5 微球表面, 且两相间存在明显的界面, 同时 In2O3...
本文采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备出氧化铁-氧化铟复合材料,利用提拉法将复合材料固定在锡掺杂玻璃光波导表面研究出能够检测二甲苯气体的Fe2O3-In2O3复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导气敏元件。将气敏元件固定在气体检测系统中对挥发性有机气体进行检测。实验结果表明,Fe2O3-In2O3复合薄膜/锡掺杂玻璃光波导气敏元件对二甲苯气体具有较好的响应,其响应浓度范围为1×10-3~1×10-5(V/...
基于“相同温度下同一物体所产生的辐射功率相同”这一原理,搭建了一套非接触式微小芯片表面工作温度的测试平台。利用该平台对汉威电子出品的一种平面陶瓷基微气体传感器衬底的表面工作温度进行了测试,明确了其表面温度与加热电流之间的关系及芯片表面工作温度分布图。在此基础上,确定了In2O3纳米纤维的最佳工作温度,研究了最佳工作温度下In2O3纳米纤维酒精传感器的气敏特性,验证了测温方法的有效性。该方法可进一步...
Ti-doped In2O3 thin films have been prepared on glass substrate by radio frequency (RF) sputtering with different sputtering powers (90, 120, 150, and 180 W) at 330 °C. The influence of sputtering p...
Ta-doped In2O3 transparent conductive oxide (TCO) thin films are deposited on glass substrates by radio-frequency (RF) sputtering at room-temperature. The influence of sputtering power on the struct...
The catalytic activity of Ga2O3-Al2O3 for the selective reduction of NO with propene was inhibited by the presence of H2O, whereas the catalytic activity of In2O3-Ga2O3-Al2O3 was significantly promot...
Thin polycrystalline zinc-doped indium oxide (In2O3–ZnO) films were prepared by post-annealing amorphous films with various weight concentrations x of ZnO in the range 0 6 x 6 0.06. We have studied ...
利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯, 在软基片上低温沉积了In2O3:Sn(ITO)和ZnO:Al(ZAO)透明电薄膜. 结果表明, ITO和ZAO薄膜均出现晶格畸变;柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底;尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响.
对掺三氧化铟(Sn-doped In2O3简称ITO)薄膜光学特性进行了研究. 结果表明, 该薄膜在可见光区具有高的透射率;低电阻率的ITO薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大, 表现在金属性质, ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数K在450-800nm区间的色散很弱, 基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明, 薄膜在K=0处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁.
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率χ(T)温度关系和不同湿度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性驰豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了...
期刊信息 篇名 A Study of Higly Sensitive In2O3 Thin Film O3 Sensor 语种 英文 撰写或编译 作者 牛文成等3人 第一作者单位 刊物名称 Chinese Journal of Electronics 页面 1997,No.1 出版日期 1997年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 高灵敏度半导体臭氧传感器的研究
将Sn和In先熔炼成合金,然后通过气雾喷粉工艺,由高压富氧气体使合金熔体雾化成微细的金属雾滴,并随即在燃烧道中直接氧化燃烧而生成SnO2/In2O3纳米级复合的陶瓷粉末,其粒度≤25nm。

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