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本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS图像传感器不同电路模块的单粒子敏感性，从电路层面分析发生闩锁的具体原因；在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单...
本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法。该方法所涉及的测试系统是由PC机和CMOS图像传感器测试板组成，其中CMOS图像传感器测试板由图像和数据接口、现场可编程门阵列、CMOS图像传感器和外围电路组成，在PC机中设置有图像成像软件和寄存器读写软件，PC机中图像采集卡通过数据线与CMOS图像传感器测试板中的图像和数据接口相连，现场可编程门阵列将图像数据映射成标准图像格式传递给...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照饱和 灰度值评估
2023/12/21
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照后暗电流
2023/12/13
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，在暗场条件下，选定积分时间，利用经过辐照后的图像传感器获取暗场图像并保存，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，再改变积分时间，最后画出暗场下各通道的曲线，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的光生载流子数目随积分时间的变化曲线，获得满阱容量，最后改变光强，重复提取...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法确定氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态作为TCAD软件中电离效应模型的输入参数，通过实验获得γ射线辐照后的暗电流曲线，在对氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态进行电学校准，获得三种缺陷与累积剂量之间的比例因子，建立CMOS图像传感器像素单元电离辐射效应模型，再在CMOS图像传感器像素单元曝光...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 CMOS图像传感器 像素单元 多次脉冲 电荷传输 效率仿真
2023/12/7
本发明涉及一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，提取此时钳位光电二极管中的光生载流子数目N1，将浮置扩散节点设置为高电位并保持，同时在传输栅上设置脉冲电压，提取每一次传输...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：具有光斑脱靶量实时计算功能的高速CMOS相机
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/11/29
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/11/28
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
中国科学院微电子研究所专利：双金属栅极CMOS器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院声学研究所专利：低噪声CMOS集成参考电压产生电路