搜索结果: 1-15 共查到“工学 InP”相关记录83条 . 查询时间(0.218 秒)
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
胶体量子点由于其优异的发光性质，被认为是下一代发光显示和固态照明领域最具潜力的材料之一。与经典的镉基和铅基量子点相比，InP基量子点不含重金属元素，其发光颜色可以覆盖整个可见光范围。然而，作为人眼最敏感的绿光，其相应的InP基量子点发展还相对滞后。因此，发展高性能绿光InP基量子点及其发光二极管在显示和照明等领域中具有极其重要的科学意义和应用价值。
p-i-n InP/In0.53Ga0.47As/InP探测器结构优化
InGaAs/InP 近红外光探测器 暗电流 光响应 瞬态响应
2016/11/11
利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In0.53Ga0.47As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究获进展（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 InP基无锑量子阱激光器 高铟组分InGaAs材料
2015/4/13
2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化，成功研制出波长达2.9微米的激光器，这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters 杂志上发表并引起国际广泛关注，国际半导体领域行业杂志Sem...
可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器
InP/In0.53Ga0.47As 光谱响应 可见光拓展 可见/短波 双波段探测
2016/8/16
由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7 μm,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320×256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增...
InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算
标准InGaAs 转移电子光阴极 密度泛函理论
2016/8/16
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据Kramers-Kronig关系推出标准I...
Small-Form-Factor All-InP Integrated Laser Vector Modulator Enables the Generation and Transmission of 256-Gb/s PDM-16QAM Modulation Format
Small-Form-Factor All-InP Integrated Laser Vector Modulator Enables the Generation Transmission of 256-Gb/s PDM-16 QAM Modulation Format
2014/11/6
We demonstrate, using a compact InP-based integrated assembly of a tunable laser and a double-nested Mach-Zehnder modulator, generation of Nyquist-prefiltered QPSK and 16-QAM signals at 32-Gbaud. We t...
用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计
InGaAs/InP 单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布
2016/8/10
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于Φ200μm...
中红外2-3微米波段的半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学诊断等方面均有重要的应用，且在此波段的航天焦平面器件的测量表征方面也有迫切需求。此波段上的InP基无锑量子阱激光器与GaSb基含锑量子阱激光器相比具有热导率高、衬底价格低质量好且易获得等优点，在材料生长和界面控制方面也具有优势。
发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。目前，2-3μm波段半导体激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂，含Sb的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制，特别是采用适合大规模生产应用的MOCVD更难实现高质量多元锑化物的生长制备。相比较，InP基In...
文中理论研究了InP/In0.53Ga0.47As/InP异质结透射式红外光电阴极的时间响应特性，光谱响应范围1.0～1.7 μm。在场助偏压的作用下，模拟计算了光激发的电子在阴极内部的传输特性。模拟计算表明，光电阴极的响应速度随场助偏压的增大而加快；随光吸收层厚度的增大而减慢；随光吸收层掺杂浓度的增大，光电阴极的响应速度变慢。发射层厚度及掺杂浓度的增大都会使得阴极的响应时间加长。经过对阴极结构参...
InP阵列波导光栅的误差分析
InP阵列波导光栅 简单传输函数法:系统误差 随机误差
2013/6/21
在InP阵列波导光栅的制作过程中会引入不同的误差,从而影响器件的性能.为了最大限度地控制误差,提高半导体器件性能,本文采用传输函数法对InP基阵列波导光栅的系统误差和随机误差分别进行了分析.从系统误差的模拟结果中可以得到如下结论:深脊型波导的有效折射率nc平均每偏移+0.000 1,中心波长偏移+0.05nm.相邻阵列波导长度差ΔL每偏移+0.01 μm,中心波长将偏移+0.44 nm.nc和ΔL...
InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作
多模干涉耦合器 强限制波导 束传播方法
2012/12/12
在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重要的应用前景.为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传播法仿真设计了一种具有强限制作用的InP/InGaAsP材料的多模干涉型耦合器.输入/输出端波导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度.根据仿真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀...
在有效质量近似下，利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y /InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算，并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时，束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移，引起束缚能的非对称分布；Ga 与 As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化，从而明显的影响阱中氢杂质束缚能。计算...
Polarization Multiplexed (D)QPSK InP Receiver Photonic Integrated Circuits
Photonic integrated circuits Fiber optics communications Optoelectronics
2015/5/26
In this paper we review recent developments in the area of receiver photonic integrated circuits for the implementation of polarization multiplexed (differentially coded), quadrature phase shift keyin...
