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本工作采用29Si CP/MS NMR和XPS测试方法对硅胶表面接枝季铵功能基团的过程和机理进行了分析。XPS光谱分析结果表明，硅基季铵化产品的XPS谱中含有Si、O、C、N元素，并出现了以R4N+形式存在的401.26 eV结合能峰，表明硅胶表面已被季铵化。TGA-DTA分析其接枝率为 0.46 mmol/g，同时，本工作采用29Si CP/MS NMR法对接枝机理进行探索研究，得出了接枝的可能...
金属铀表面铝薄膜生长行为的XPS研究
铀 铝薄膜 XPS 生长模式
2009/7/24
在室温、超高真空条件下，采用Ar离子溅射沉积的方法在清洁金属铀表面沉积铝薄膜，并利用X射线光电子能谱分析技术原位观察铝薄膜的生长行为。结果表明，在薄膜生长过程中，铀铝界面存在较明显的互扩散行为，同时发生一定程度的相互作用，生成金属间化合物UAlx，导致铀、铝XPS特征谱发生明显变化。铀铝间的互扩散导致U4f谱在380.4、392.7和404.2eV处出现新的能量损失峰；而铀铝金属间化合物的生成导致...