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复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计
GaN肖特基二极管 漏电流 击穿电压 阶梯型场板
2022/3/31
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直GaNSBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaNSBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和...
Thermoelectric power and low-field electron mobility in AlxGa1-xN lattice-matched to GaN
Thermoelectric power optical phonon piezoelectric non-parabolicity relaxation-time
2010/4/8
The results of thermoelectric power and electron drift mobility in AlxGa1-xN lattice-matched to GaN are calculated for different temperatures, free-electron concentrations and compositions. The two-mo...
GaAlN/GaN 量子阱中电子的激发态极化及其压力效应
2007/7/28
期刊信息
篇名
GaAlN/GaN 量子阱中电子的激发态极化及其压力效应
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
吴晓薇,郭子政,闫祖威
第一作者单位
内蒙古农业大学理学院
刊物名称
量子电子学报 2（1）
页面
6
出版日期
2005年
2月
日
文章标识(ISSN)
1007-5461
相关项目
氮化物半导体电子－－声子相互作用及相关理论问题
GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化
2007/7/28
期刊信息
篇名
GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
杨瑞芳,郭子政
第一作者单位
内蒙古师范大学
刊物名称
内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版),34（1）
页面
3
出版日期
2005年
3月
日
文章标识(ISSN)
1001-8735
相关项目
氮化物半导体电子－－声子相互作用及相关理论问题
Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires
GaN InN Nanowires Electron transport
2010/9/25
A review of the dependence of the electron mobility on the free carrier concentration for gallium nitride and indium nitride nanowires grown using hot-wall chemical vapour deposition is presented. Gal...
Exciton Confinement in InGaN/GaN Cylindrical Quantum Wires
Exciton Confinement InGaN/GaN Cylindrical Quantum Wires
2010/10/22
We investigate the confined exciton properties in InGaN/GaN cylindrical quantum wires. We have solved numerically Schr¨odinger-like equations in the effective mass approximation and have found the ene...