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搜索结果: 1-13 共查到理论物理学 Si相关记录13条 . 查询时间(0.127 秒)
The presence of interface states at the MOS interface is a well-known cause of device gradation.This is particularly true for ultra-scaled FinFET geometries where the presence of a few traps can stron...
SiGe islands are used to induce tensile strain in the Si channel of Field E ect Transistors to achieve larger transconductance and higher current driveabilities. We report on x-ray di raction experime...
The conduction band degeneracy in Si is detrimental to quantum computing based on spin qubits, for which a nondegenerate ground orbital state is desirable. This degeneracy is lifted at an interface wi...
2006Vol.46No.6pp.1011-1016DOI: A Modified Earthquake Model Based on Generalized Barabási-Albert Scale-Free Networks LIN Min,1 WANG Gang,2,3 and CHEN Tian-Lun4 1 Departme...
2002Vol.38No.1pp.91-98DOI: Dual Space Analyzing Based on Symmetry Properties for Phonons fo Si Quantum Dot QIN Guo-Yi,1 REN Shang-Fen,2 and ZHANG Zhi-Yong3 1 Department ...
2006Vol.45No.4pp.741-744DOI: Molecular Dynamics Study of Effects of Si-Doping Upon Structure and Mechanical Properties of Carbon Nanotube SONG Hai-Yang, SUN He-Ming, and ZHANG Guo...
2005Vol.44No.4pp.724-726DOI: Initial Processes of Sulfur Adsorption on Si(100) Surface MA Li, WANG Jian-Guang, and WANG Guang-Hou National Laboratory of Solid State Micr...
2004Vol.42No.5pp.795-797DOI: Initial Processes of Hydrogen Adsorption on Si(100) Surface MA Li,1 WANG Jian-Guang,2 WEI Shu-Yi,2 and WANG Guang-Hou1 1 National Laborato...
期刊信息 篇名 Field emission from suface quantum well of Si 语种 英文 撰写或编译 作者 黄庆安 第一作者单位 刊物名称 Appl.Surf .Sci 页面 1996,Vol.93,P77 出版日期 1996年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 真空微电子微波三极管的理论与实验研究
期刊信息 篇名 Optical studies of ZnO quantum dots grown on Si(001) 语种 英文 撰写或编译 作者 Wu HZ(吴惠桢),Qiu DJ,Cai YJ,et al 第一作者单位 刊物名称 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 页面 245 (1-2): 50-55 NOV 出版日期 2002年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 ...
期刊信息 篇名 Electric Properties of Ge Quantum Dot Embedded in Si Matrix 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Xiying Ma,Wei Lin Shi 第一作者单位 绍兴文理学院 刊物名称 J. Central south university of technology 页面 V12(2)159-162. 出版日期 2006年 12...
In this paper, the AMPS-1D (Analysis of Microelectronic and photonic structure) simulation program is used to understand the origin of the differences observed in Space Charge Limited Current (SCLC) a...
The aim of this study was to examine the effect of thermal annealing on hydrogenated intrinsic amorphous silicon a-Si:H films. Hydrogenated intrinsic amorphous films were seperately coated on glass an...

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