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西安电子科技大学场效应器件物理课件 MOSFET进阶。
西安电子科技大学场效应器件物理课件第四章 MOSFET原理。
绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析
SGOI p-MOSFET Ge合金组分
2013/9/23
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较...
On the possibility of obtaining MOSFET-like performance and sub-60 mV/decade swing in 1D broken-gap tunnel transistors
obtaining MOSFET-like performance sub-60 mV/decade
2010/11/25
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have gained a great deal of recent interest due to their potential to reduce power dissipation in integrated circuits. One major challenge for TFETs so far h...
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 总剂量辐照效应及可靠性
总剂量辐照效应 退火效应 可靠性
2011/8/17
对国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素；背栅对总剂量辐照更为敏感，但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下，依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能；界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流；总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
Ionizing Radiations and Annealing Influence on MOSFET Charge States
Annealing Influence Ionizing Radiations MOSFET Charge States
2010/4/16
The threshold voltage shift D VT and its components due to trapped-oxide charges D VNot and Si-SiO2 interface traps D VN in MOSFET exposed to Bremsstrahlung, Co60 irradiation and annealing were studie...