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Analytic description to an oscillating charged-particle between the DC voltage biased plane-parallel conductors is presented. Contrary to the traditional belief in which the oscillation of charged-par...
Using the bottom-up approach in a holographic setting, we attempt to study both the transport and thermodynamic properties of a generic system in $3+1$ dimensional bulk spacetime. We show the exact $...
Homogeneous freestanding films have been obtained by the direct current (DC) magnetron sputtering technique using a sacrificial layer. After annealing, the films are crystallized with a strong out-of-...
We study voltage response of nano-bridge based DC-SQUID fabricated on a Si\_{3}N\_{4} membrane. Such a configuration may help in reducing 1/f noise, which originates from substrate fluctuating defects...
Achieving coherent population transfer in the solid-state is challenging compared to atomic systems due to closely spaced electronic states and fast decoherence. Here, within an atomistic pseudopotent...
DC-SC超导光阴极微波电子枪是一种新型的高平均流强电子源,本文介绍了其中的关键部件—光阴极的研制.在自行研制的光阴极制备室里成功制备了两种光阴极:Cs2Te和Cs3Sb光阴极.Cs225%,真空中(1×10-5Pa)寿命50h.Cs3Sb光阴极是多层膜结构,用532nm激光激发,量子效率2%,真空中(10-5Pa)寿命只有几个小时.两者都可以满足电子枪的设计要求,但是由于Cs2Te光阴极更稳定,...
北京大学超导加速器实验室提出了新型DC?RF超导腔注入器的设计方案.该注入器由皮尔斯引出结构、1+1/2超导腔组成,可以提供高品质的、CW模式或高占空比(1%以上)的电子束.对该注入器进行了分析计算和设计研究,通过改变超导腔首腔腔形以增加聚焦效果,采取措施缩短阴极到超导腔的距离,从而有效地抑制束流发射度的增长.用PARMELA对该注入器进行束流动力学研究,以确定皮尔斯引出结构的形状以及超导腔的同步...
2007Vol.47No.4pp.737-740DOI: dc Josephson Effect in s-Wave Superconductor/Ferromagnet Insulator/p-Wave Superconductor Junctions LI Xiao-Wei Department of Physics and Ele...
2006Vol.45No.2pp.363-368DOI: Current Oscillation and dc-Voltage-Controlled Chaotic Dynamics in Semiconductor Superlattices WANG Chang and LÜ Jing-Tao State Key Labo...
2004Vol.41No.5pp.707-714DOI: Analysis Theory of Asymmetric dc SQUID Driven by Thermal Noises LÜ Hai-Feng, JIA Ya, and HUANG Xin-Tang Department of Physics, Central ...
专著信息 书名 Fabrication of Ti-O gradient biomedical film on Ti6Al4V by DC glow plasma oxidizing 语种 英文 撰写或编译 作者 Zheng CL,Cui FZ,Xu Z 第一作者单位 出版社 MATERIALS SCIENCE FORUM 423-4: 335-340 2003 出版地 出版日期 2003年 月 ...
期刊信息 篇名 DC-PCVD装置中阴阳极上Si3N4薄膜沉积模型 语种 中文 撰写或编译 作者 吴大兴,周海,杨川等 第一作者单位 刊物名称 机械工程材料 页面 1997年8月,Vol.21,No.4 出版日期 1997年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
DC-PCVD法快速制备Si3N4薄膜           2007/7/28
期刊信息 篇名 DC-PCVD法快速制备Si3N4薄膜 语种 中文 撰写或编译 作者 吴大兴,周海,杨川等 第一作者单位 刊物名称 硅酸盐学报 页面 1997年8月,Vol.25,No.3 出版日期 1997年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
期刊信息 篇名 在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜 语种 中文 撰写或编译 作者 杨川,吴大兴,高国庆等 第一作者单位 刊物名称 功能材料 页面 1997年12月,Vol.28,No.6 出版日期 1997年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 直流等离子体法沉积氮化硅薄膜形成机理及性能研究
期刊信息 篇名 Characteristics of Y1-xCaxBa2Cu3O7-d Thin Films Grown by DC Magnetron Sputtering 语种 英文 撰写或编译 作者 Z. Wang,Y. Z. Zhang,X. F. Lu,H. Gao,S. L. Jia,H. Chen,H. H. Wen 第一作者单位 刊物名称 International Journa...

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