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大气CO2浓度在冰期-间冰期旋回的周期性变化是晚第四纪最显著的环境特征之一,冰期较低的大气CO2浓度被认为与深海碳储库的增加有关,是研究海洋吸收和储存CO2的天然对照组。南大洋是海洋和大气进行碳交换的主要区域,其物理环流和生物地球化学过程可能控制了冰期-间冰期深海碳储库的变化。风力驱动的上涌过程将富含碳和营养物质(硅和氮等)的深层水带到南大洋表层,其中一部分碳被表层生物固定从而再次进入深海,另一部...
2024年7月14日,国际学术期刊Geophysical Research Letters报道了中国科学院海洋研究所基于自主研制的深海原位拉曼光谱探测系统开展天然气水合物原位实验的最新成果,建立了天然气水合物在海水环境影响下发生结构转化的模型,为天然气水合物在海水中的原位演化过程提供了新的视角。
优异的热稳定性和耐毒性等关键性能指标对开发实用型的单原子催化剂至关重要。铂基催化剂凭借其优异的催化活性被广泛应用于VOCs的催化氧化,然而,实际工况下VOCs废气组分复杂,铂单原子催化剂由于高暴露的原子活性位点极易与H2O、SO2等杂质气体大面积接触而发生中毒失活的现象。因此,研究人员重点致力于提高单原子Pt催化剂在VOCs催化燃烧领域的耐毒性研究。特别是含水工况下,单原子Pt基催化剂极易失活,限...
聚合物刷是指分子链一端以化学键合固定在固体基材表面的聚合物层。当附着在界面或者固体表面的聚合物分子链密度足够高时,由于分子链之间强的排斥力而形成高度伸展的构象,类似于刷子的结构。因而,聚合物刷具有接枝密度高、结构可控性强、功能特性可调等特点,在仿生润滑、表面防污、生物传感和组织工程等领域具有广阔的应用前景,是先进高分子材料领域的重要发展方向之一。表面引发原子转移自由基聚合(SI-ATRP)是目前制...
场效应晶体管(FET)是半导体芯片的核心部件,其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸,很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能:界面的尺寸过大会导致集成度降低,芯片性能下降;界面的尺寸小,晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响,导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度(即源极到漏极间的距离)实际上已经达到了几纳米的尺寸,如台积电最新的5...
硅(Si)是地球中丰度第三高的元素,也是地壳中丰度第二高的元素。虽然高温岩浆活动和变质作用通常产生较小的Si同位素分馏,但低温化学反应和生物过程所导致的Si同位素分馏却十分显著。因此,全岩和/或矿物Si同位素已被广泛用作壳内重熔和壳-幔相互作用的示踪剂。锆(Zr)是高场强元素之一,也是后期蚀变和化学风化过程中最不活动的元素,其稳定同位素体系可以敏感地示踪硅酸盐岩浆系统的分异过程。
近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技...
本文研究了一类具有双自由边界的SI模型,引入两个自由边界来描述疾病传播的边沿.首先,讨论了该问题全局解的存在性和唯一性.其次,分别定义了相应于该模型下的常微分方程系统和在固定域上的系统的基本再生数R0与R0D.进而,定义了该模型在自由边界条件下的基本再生数R0F,并获得了疾病消退或蔓延的充分条件,结果表明:当R0<1时,无论染病者的初始值多少,疾病都不会蔓延到整个区域.而当R0F<1且染病者的初始...
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力作用下Mg2Si和Mg2Ge的结构、弹性和热力学性质。计算结果表明:0 GPa压力作用下两者的晶格参数与实验值以及其他理论值吻合较好,且相对晶格常数a/a0和晶胞体积V/V0均随压力的增大而减小;在0~25 GPa压力作用下,Mg2Si和Mg2Ge相体模量B、剪切模量G、杨氏模量E均随压力的增大而增大,材料的刚度和塑性均增强,当压力达到15 GPa时...
在球形SiO2颗粒表面包覆适量的CuO,经还原得到铜包覆的多孔硅复合材料[p-Si@Cu(x)].利用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和比表面积分析等手段对样品的组成、物相结构、微观形貌和孔结构进行分析,并初步研究了材料的循环性能和倍率性能.结果表明,铜包覆量x=0.05时,在100 mA/g电流密度下,样品的首次放电容量为3596.9 mA·h/g,首次充电容量为2590.7 mA·h...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在柔性Si/Ge纳米带确定性组装方面获得新进展。课题组提出了“边缘-剪切转移”(Edge-Cutting Transfer)技术,成功地实现了柔性Si/Ge纳米带在柔性基底上的可控转移及确定性组装。相关研究成果以Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons...
磁电子学在新一代信息技术上具有巨大潜力,一直是国际上关注的热点。有关工作可以分为两个方面。一是利用自旋霍尔效应、自旋赛贝克效应以及电子隧穿效应产生与操纵自旋流,这一领域已经有大量的工作。另一个重要的发展趋势是利用磁场调控半导体内电子的运行轨迹:通过把磁场直接作用于半导体,利用洛仑兹效应偏转电子轨道,获得电子行为的磁调控。但是,由于常规半导体对磁场不敏感,所需要的磁场通常很高,为几个甚至十几特斯拉。...
用密度泛函方法在B3LYP/6-31G(d,p)基组水平上对反应系统中的所有物种进行全优化,用CPCM溶剂模型在同一基组水平上进行了单点计算,系统研究了硅醇盐前驱体Si(OCH3)4在酸性条件下的水解、聚合机理,阐明了二者的相互竞争关系.研究发现,H2O以氢键或配位键与前驱体结合,然后通过氢转移完成水解;水分子从质子化烷氧基的对面键合并发生水解;第4级水解是H2O从对位驱逐质子化烷氧基,但不能水解...
利用磁过滤电弧离子镀技术在高速钢基体上制备了不同Si含量的Ti-Al-Si-N薄膜, 研究了Si含量对薄膜组织结构以及力学性能的影响. 结果表明, Ti-Al-Si-N薄膜主要由晶态TiAlN和非晶态的Si3N4组成, 随着Si含量的增加, XRD衍射峰强度减弱, 晶粒尺寸减小; 薄膜的显微组织也由明显的柱状晶转变为致密的纳米晶结构. 利用纳米硬度仪对薄膜的硬度和弹性模量进行了分析, 结果表明, ...
A Si/Si3N4 high contrast grating mirror has been designed for a VCSEL integration in mid-infrared ({\lambda} = 2.65 $\mu$m). The use of an optimization algorithm which maximizes a VCSEL mirror quality...

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